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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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sapphire substrate mirror polished fabrication en ligne

(17)

Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm
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2023-02-17 10:17:43

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

JDCD08-001-003 Wafer de substrat de saphir plat de 2 pouces M
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2025-04-27 11:43:50

JDCD08-001-002 Wafer de substrat en saphir à 2 pouces A-plan
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2025-04-27 11:43:50

Optoélectronique Polissage Saphir Cristal Wafer Type R
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2023-02-17 11:22:48

Orientation Cristal C/M0.2 Plaquette Saphir Épaisseur 440μm
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2022-09-26 16:02:07

Plaquette de saphir de type R de 50 mm d'épaisseur 420 μm de longueur (mm) Puce de 16 LED
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2023-02-17 11:23:22

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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Puce de diode laser

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Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm
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Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal