Aperçu Produitssingle crystal diamond wafer fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Gaufrette sic épitaxiale
(28)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

single crystal diamond wafer fabrication en ligne

(16)

le diamant de 3.515g/cm3 CVD substrats la transmittance légère 225nm à l'infrarouge lointain
Contact

2022-09-27 17:12:16

JDCD05-001-005 Diamant monocristallin de qualité électronique 55mm20.5mm, contenu N
Contact

2022-09-28 15:01:25

Catégorie électronique Crystal Diamond simple, N Content<100ppb, conduction thermique de JDCD05-001-006 1010mm20.5mm de XRD<0.015º
Contact

2022-09-28 15:02:42

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Contact

2022-09-27 17:13:12

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

2022-10-08 17:19:48

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
Contact

2022-10-08 16:41:01

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

single crystal diamond wafer fabrication en ligne

le diamant de 3.515g/cm3 CVD substrats la transmittance légère 225nm à l'infrarouge lointain
Contact

JDCD05-001-005 Diamant monocristallin de qualité électronique 55mm20.5mm, contenu N
Contact

Catégorie électronique Crystal Diamond simple, N Content<100ppb, conduction thermique de JDCD05-001-006 1010mm20.5mm de XRD<0.015º
Contact

Wm K 1000 | CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Contact

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
Contact

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal