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Aperçu ProduitsGaufrette sic épitaxiale

niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
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niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde
niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

Image Grand :  niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Suzhou Chine
Nom de marque: GaNova
Certification: UKAS/ISO9001:2015
Numéro de modèle: JDCD03-002-002
Conditions de paiement et expédition:
Détails d'emballage: Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 25
Délai de livraison: 3-4 jours de la semaine
Conditions de paiement: T/T

niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de 4inch 4H-SiC·cm pour la puissance et la micro-onde

description de
Nom de produit: Gaufrette sic épitaxiale Diamètre: 100.0mm+0.0/-0.5mm
Orientation extérieure: {0001}±0,2 ° Longueur du bord de référence principal: 32,5 mm ± 2,0 mm
Le bord de la galette: angle de chanfrein Épaisseur: 500.0±25.0μm

Niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω de substrat de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm pour des dispositifs de puissance et à micro-ondes

Aperçu

Sic est employé pour la fabrication des dispositifs très à haute tension et de haute puissance tels que des diodes, des transistors de puissance, et des dispositifs d'hyperfréquences à grande puissance. Comparé aux SI-dispositifs conventionnels, les dispositifs de puissance basés sur SIC ont des tensions plus élevées plus rapides de vitesse de changement, résistances parasites inférieures, plus de petite taille, en raison exigé moins de refroidissement de la capacité à hautes températures.

substrat semi-isolant de 4inch 4H-SiC

Performance des produits Niveau P Niveau de D
Forme en cristal 4H
Polytypique Ne pas laisser Area≤5%
Micropipe Densitya ≤0.3/cm2 ≤5/cm2
Six carrés vident Ne pas laisser Area≤5%
Cristal hybride extérieur d'hexagone Ne pas laisser Area≤5%
wrappage a Area≤0.05% NON-DÉTERMINÉ
Résistivité ≥1E9Ω·cm ≥1E5Ω·cm

(0004) largeurs de taille de XRDHalf de la courbe de basculage (FWHM)

≤45Arcsecond

NON-DÉTERMINÉ

Diamètre 100.0mm+0.0/-0.5mm
Orientation extérieure {0001} ±0.2°
Longueur du bord de référence principal

32,5 millimètres de ± 2,0 millimètres

Longueur du bord de référence secondaire 18,0 millimètres de ± 2,0 millimètres
Orientation principale de plan de référence ±<11-20> parallèle 5.0˚
Orientation secondaire de plan de référence 90° dans le sens horaire au ˚ principal du ± 5,0 de ˚ de plan de référence, SI récepteur
préparation de la surface C-visage : Miroir polissant, SI-visage : Polonais mécanique chimique (CMP)
Le bord de la gaufrette angle de chanfrein

Aspérité (5μm×5μm)

Visage Ra<0.2 nanomètre de SI

épaisseur

500.0±25.0μm

LTV (10mm×10mm) a

≤2µm

≤3µm

TTVa

≤6µm

≤10µm

Bowa

≤15µm

≤30µm

Warpa

≤25µm

≤45µm

Bord/espace cassés On ne permet pas des bords d'effondrement d'une longueur et d'une largeur de 0.5mm ≤2 et chaque longueur et largeur de 1.0mm
scratcha ≤4, et toute la longueur est 0,5 fois le diamètre ≤5, et toute la longueur est 1,5 fois le diamètre
faille ne pas laisser
pollution ne pas laisser
Retrait de bord

3mm

Remarque : l'exclusion de bord de 3mm est employée pour les articles identifiés par l'A.

Au sujet de nous

Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.

FAQ

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <> >=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.

Coordonnées
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)

Téléphone: +8613372109561

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