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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Gaufrette sic épitaxiale | Diamètre: | 100.0mm+0.0/-0.5mm |
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| Orientation extérieure: | {0001}±0,2 ° | Longueur du bord de référence principal: | 32,5 mm ± 2,0 mm |
| Le bord de la galette: | angle de chanfrein | Épaisseur: | 500.0±25.0μm |
JDCD03-002-001 Substrat 4H-SiC 4 pouces P-level SI 500.0±25.0μm MPD≤0.3/cm2 Résistivité≥1E9Ω·cm pour appareils électriques et hyperfréquences
Aperçu
SiC a une conductivité thermique plus élevée que GaAs ou Si, ce qui signifie que les dispositifs SiC peuvent théoriquement fonctionner à des densités de puissance plus élevées que GaAs ou Si.Une conductivité thermique plus élevée combinée à une large bande interdite et à un champ critique élevé confère aux semi-conducteurs SiC un avantage lorsqu'une puissance élevée est une caractéristique clé souhaitable de l'appareil.
Actuellement, le carbure de silicium (SiC) est largement utilisé pour les applications à haute puissance.Le SiC est également utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale de GaN pour des dispositifs encore plus puissants.
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Substrat semi-isolant 4H-SiC 4 pouces |
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| Performances du produit | Niveau P | Niveau D | |
| Forme cristalline | 4H | ||
| Polytypique | Ne pas permettre | Zone≤5 % | |
| Densité de microtuyauxun | ≤0.3/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Six carrés vides | Ne pas permettre | Zone≤5 % | |
| Cristal hybride à surface hexagonale | Ne pas permettre | Zone≤5 % | |
| emballageun | Zone≤0,05 % | N / A | |
| Résistivité | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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(0004) XRD Largeur demi-hauteur de la courbe de basculement (FWHM) |
≤45arcseconde |
N / A |
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| Diamètre | 100.0mm+0.0/-0.5mm | ||
| Orientation des surfaces | {0001}±0,2 ° | ||
| Longueur du bord de référence principal |
32,5 mm ± 2,0 mm
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| Longueur du bord de référence secondaire | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientation du plan de référence principal | parallèle<11-20> ± 5,0˚ | ||
| Orientation du plan de référence secondaire | 90° dans le sens des aiguilles d'une montre par rapport au plan de référence principal ˚ ± 5,0 ˚, face Si vers le haut | ||
| préparation de surface | C-Face : polissage miroir, Si-Face : polissage mécano-chimique (CMP) | ||
| Le bord de la galette | angle de chanfrein | ||
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Rugosité de surface(5μm×5μm)
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Si face Ra < 0,2 nm
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| épaisseur |
500.0±25.0μm
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| LTV(10mm×10mm)un |
≤2µm
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≤3µm
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| TTVun |
≤6µm
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≤10µm
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| Arcun |
≤15µm
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≤30µm
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| Chaîneun |
≤25µm
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≤45µm
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| Bord cassé / espace | Les bords repliés d'une longueur et d'une largeur de 0,5 mm ne sont pas autorisés | ≤2 et chaque longueur et largeur de 1,0 mm | |
| gratterun | ≤4, et la longueur totale est de 0,5 fois le diamètre | ≤5, et la longueur totale est de 1,5 fois le diamètre | |
| défaut | ne pas permettre | ||
| pollution | ne pas permettre | ||
| Retrait des bords |
3mm |
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Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
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