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gallium nitride semiconductor wafer fabrication en ligne

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laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2023-03-23 18:00:45

le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI > 10 le ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:05:44

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2023-02-17 11:16:39

GaN LED verte 2 pouces sur plaquette de silicium Dimension 520 ± 10 nm
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2023-02-17 11:21:32

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
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2023-02-17 14:30:35

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2022-10-09 10:29:17

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2022-10-09 10:30:00

5*10mm2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Monocristal Substrat Résistivité
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2022-10-25 15:15:40

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2023-02-17 14:49:57

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,1 Ω·dispositif de puissance de cm
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2023-02-17 11:08:54

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal