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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Support de gaufrette de téflon
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gallium nitride semiconductor wafer fabrication en ligne

(31)

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
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2022-09-27 16:57:32

100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2022-10-08 17:07:51

Substrat monocristallin 10x10mm2 de galette de Ga2O3 de dopage de Sn
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2023-02-17 14:34:53

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces
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2023-02-17 14:34:04

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2
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2022-10-09 10:34:19

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif PIN laser LED
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2024-03-25 15:41:04

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2023-02-17 14:49:22

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
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2023-02-17 11:40:11

résistivité électrique DIRIGÉE PAR vert de 2inch GaN On Silicon Wafer 520±10nm bonne
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2022-10-08 17:38:21

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal