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p type silicon substrate fabrication en ligne

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JDCD07-001-002 Wafer épitaxial SOI de 5 pouces pour le traitement MEMS
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2025-04-27 11:43:50

Traitement de JDCD07-001-003 6-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS
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2025-04-04 22:42:31

JDCD07-001-004 Wafer épitaxial SOI de 7 pouces pour le traitement MEMS
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2025-04-27 11:43:50

JDCD07-001-001 Plaquette épitaxiale SOI de 4 pouces pour le traitement MEMS
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2025-04-27 11:43:50

775um 725um 675um dispositifs de semi-conducteur de gaufrette de 8 pouces
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2022-09-27 16:50:19

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
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2024-10-29 11:49:57

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

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Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal