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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | ² de 5 x de 10mm | Épaisseur: | 350 ±25µm |
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| Orientation: | avion (de 11-22) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° (11-22) outre de l'angle vers le C-axe | TTV: | µm du ≤ 10 |
| Arc: | - ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm | Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ |
| Secteur utilisable: | > 90% (exclusion de bord) | Nom de produit: | visage GaN Substrates libre (de 11-22) |
5*10mm2Face SP (11-12) Substrat monocristallin de GaN autonome de type n non dopé Résistivité < 0,05 Ω·cm Dispositif de puissance/plaquette laser
Aperçu
Parce que les transistors GaN sont capables de s'allumer plus rapidement que les transistors au silicium, ils sont capables de réduire les pertes causées par cette transition.Le GaN réduit également les pertes de commutation grâce à l'absence de diode de corps.
Le GaN gagne en importance en raison de sa capacité à offrir des performances considérablement améliorées dans une large gamme d'applications tout en réduisant l'énergie et l'espace physique nécessaires pour fournir ces performances par rapport aux technologies conventionnelles au silicium.
| (11-22) Fcourant alternatife Free-Stunndjeng gunN SousStrates | ||||
| Article |
GaN-FS-SP-US
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GaN-FS-SP-NS
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GaN-FS-SP-SI-S |
Remarques: Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière. |
| Dimensions | 5 x 10 mm2 | |||
| Épaisseur | 350 ±25 µm | |||
| Orientation |
(11-22) angle hors plan vers l'axe M 0 ±0,5° (11-22) angle hors plan vers l'axe C - 1 ±0,2° |
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| Type de conduction | Type N | Type N | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| ARC | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosité de la surface avant |
< 0,2 nm (poli); ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie) |
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| Rugosité de la surface arrière |
0,5 ~ 1,5 μm option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli) |
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| Densité de luxation | A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2 | |||
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 | |||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) | |||
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect
Si δ1= 0 ±0,5°, alors (11-22) l'angle hors plan vers l'axe M est de 0 ±0,5°.
Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors (11-22) l'angle de déport vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
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