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Détails sur le produit:
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| Dimensions: | ² de 5 x de 10mm | Épaisseur: | 350 ±25µm |
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| TTV: | ≤ 10µm | Arc: | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Macro densité de défaut: | ² 0cm⁻ | Densité de dislocation: | Du ⁵ 1 x 10 au ² de cm⁻ de 3 x 10 ⁶ |
5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN < 0="">
Aperçu
Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée depuis de nombreuses années. Les caractéristiques sont uniformité cristalline et bonne élevée, et qualité extérieure supérieure.
GaN se développe dans l'importance en raison de sa capacité d'offrir la représentation sensiblement améliorée à travers un large éventail d'applications tout en réduisant l'énergie et l'espace physique requis pour fournir cette représentation en comparaison avec des technologies conventionnelles de silicium.
| (20- 21)/(20- 2- 1) faites face aux substrats libres de GaN | ||||
| Article | GAN-FS-PS-U-s | GAN-FS-PS-N-s | GAN-FS-PS-SI-s |
Remarques : Un angle circulaire d'arc (R < 2="" mm=""> |
| Dimensions | 5 x 10 millimètres2 | |||
| Épaisseur | µm 350 ±25 | |||
| Orientation |
(20-21)/(20-2 - 1) avion outre d'angle vers Un-axe 0 ±0.5° (20-21)/(20-2 - 1) avion outre d'angle vers le C-axe - 1 ±0.2° |
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| Type de conduction | de type n | de type n | Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm du ≤ 10 | |||
| ARC | - 10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> ou < 0=""> |
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| Aspérité arrière |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
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| Densité de dislocation | De 1 x 105 à 3 x 106 cm2 | |||
| Macro densité de défaut | 0 cm2 | |||
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de bord) | |||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur de 6 PCS, sous une atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de miscut
Si δ1 = 0 ±0.5°, alors (20-21)/(20-2 - 1) l'avion outre de l'angle vers l'Un-axe est 0 ±0.5°.
Si le δ2 = - 1 ±0.2°, alors (20-21)/(20-2 - 1) avion outre d'angle vers le C-axe est - 1 ±0.2°.
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
Généralement c'est de 3-5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est de 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <>
>=5000USD, 80% T/T de paiement à l'avance, équilibre avant expédition.
Personne à contacter: Xiwen Bai (Ciel)
Téléphone: +8613372109561
