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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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gallium nitride semiconductor wafer fabrication en ligne

(35)

Gaufrette Crystal Substrate Thickness simple de FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm à 0.8mm
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2023-02-17 14:17:37

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47

2 pouces de LED verte GaN sur la plaque de silicium Dimension 520±10nm
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2025-04-27 11:43:50

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2025-04-04 22:43:39

Plaquette épitaxiale monocristalline de Ra 0.3nm Ga2O3 2 pouces 4 pouces
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2023-02-17 14:34:04

Ga2O3 Fe a dopé la position libre du substrat monocristallin de gaufrette 10x10mm2
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2022-10-09 10:34:19

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2024-10-29 11:49:58

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
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2023-02-17 14:30:35

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopé en position libre Ga2O3 Substrate monocristallin Qualité du produit Polissage unique
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2025-04-27 11:43:51

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal