Aperçu Produitssic epitaxial wafer c face fabricant en ligne

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GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
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Certificat

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sic epitaxial wafer c face fabrication en ligne

(33)

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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2024-10-29 11:49:58

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm
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2024-10-29 11:49:58

4H la gaufrette sic épitaxiale PMOS évaluent 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
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2022-10-24 10:21:58

P MOS Grade 2 avancent sic le SBD petit à petit du niveau P P de gaufrette d'Epi évaluent la catégorie 150.0mm de D
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2022-10-24 10:36:07

Substrat SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

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Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

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Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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gaufrette sic épitaxiale 6inch
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4H la gaufrette sic épitaxiale PMOS évaluent 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
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P MOS Grade 2 avancent sic le SBD petit à petit du niveau P P de gaufrette d'Epi évaluent la catégorie 150.0mm de D
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Substrat SiC 350um 4H
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6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal