Aperçu Produitssic epitaxial wafer c face fabricant en ligne

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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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sic epitaxial wafer c face fabrication en ligne

(26)

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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2023-02-17 17:47:57

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2023-02-17 15:19:25

gaufrette sic épitaxiale de 150.0mm +0mm/-0.2mm aucun appartement secondaire 3mm
Contact

2023-02-17 15:10:26

gaufrette sic épitaxiale 6inch
Contact

2022-10-09 16:56:20

4H la gaufrette sic épitaxiale PMOS évaluent 150,0 millimètres +0mm/-0.2mm 47,5 millimètres de ± 1,5 millimètres
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2022-10-24 10:21:58

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

Substrat SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2023-03-23 16:58:53

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

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Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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Substrat SiC 350um 4H
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal