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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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sic epitaxial wafer c face fabrication en ligne

(26)

Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
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2022-10-24 10:26:17

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
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2023-02-17 17:14:50

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

Substrat 4H-SiC 4 pouces niveau P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 résistivité≥1E9Ω·Cm pour alimentation et micro-ondes
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2022-10-24 10:37:50

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

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Machine à découper les plaquettes

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Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
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6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
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Substrat 4H-SiC 4 pouces niveau P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 résistivité≥1E9Ω·Cm pour alimentation et micro-ondes
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal