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cz silicon wafer fabrication en ligne

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JDCD06-001-003 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 4 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2023-02-17 11:57:25

Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
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2022-09-27 16:51:53

4" 5" 6" type de la gaufrette P de SI/type du bore N/comme type/Sb de N
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2022-09-27 16:54:01

JDCD06-001-004 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 5 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2023-02-17 11:59:11

JDCD06-001-006 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 8 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2023-02-17 12:00:49

Dispositifs de la gaufrette de silicium de JDCD06-001-007 12-Inch MEMS, circuits intégrés, substrats consacrés pour les dispositifs discrets
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2023-02-17 12:01:45

Dispositifs semi-conducteurs Plaquette de substrat de silicium de 2 pouces 8 '' 12 ''
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2022-09-27 16:53:03

Le silicium surface de gaufrette de 8 pouces a fini P/P P/E E/PAR EXEMPLE /G
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2023-02-17 12:41:33

JDCD06-001-002 Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 3 pouces, circuits intégrés, substrats dédiés pour dispositifs discrets
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2023-02-17 11:53:04

775um 725um 675um dispositifs de semi-conducteur de gaufrette de 8 pouces
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2022-09-27 16:50:19

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal