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gan epitaxial wafer fabrication en ligne

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acheter 5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm en ligne fabricant

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2025-04-27 11:43:51
acheter 4 pouces de nitrure de gallium GaN en substrat GaN dopé en ligne fabricant

4 pouces de nitrure de gallium GaN en substrat GaN dopé
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2024-12-06 17:42:36
acheter 5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique en ligne fabricant

5*10mm2 SP-Face 10-11 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 0.1 Ω·cm Résistivité pour appareil électrique
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2025-04-27 11:43:51
acheter 10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique en ligne fabricant

10 X 10,5 mm2 C Faces non dopées N type libre GaN sous-cristal unique
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2025-04-27 11:43:50
acheter Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm en ligne fabricant

Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm
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2025-04-27 11:43:51
acheter SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um en ligne fabricant

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01
acheter Sic type substrat de N en ligne fabricant

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15
acheter Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED en ligne fabricant

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09
acheter Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2 en ligne fabricant

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05
acheter 0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple en ligne fabricant

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2024-10-29 11:49:58
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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