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gan epitaxial wafer fabrication en ligne

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acheter Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé en ligne fabricant

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé
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2023-02-17 11:02:58
acheter Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um en ligne fabricant

Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um
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2024-10-29 11:49:57
acheter 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm en ligne fabricant

10 X 10,5 mm2 Substrats GaN en libre-service - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50
acheter Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF en ligne fabricant

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2025-04-04 22:43:44
acheter 10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer en ligne fabricant

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51
acheter 5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser en ligne fabricant

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2025-04-04 22:43:38
acheter µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 en ligne fabricant

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2025-04-04 22:43:27
acheter PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé &gt; 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm en ligne fabricant

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
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2025-04-04 22:43:36
acheter résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l&#039;Un-visage 5*10mm2 &lt; 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser en ligne fabricant

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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acheter avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d&#039;angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° en ligne fabricant

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
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2025-04-04 22:43:30
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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