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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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gan fabrication en ligne

(85)

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
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2023-02-17 11:40:11

Wafer épitaxial GaN essentiel pour la production de puces haute tension haute fréquence
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2024-07-31 15:01:27

Ensemble standard de montage en surface Puce à diode laser 1,0 W/A
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2022-09-22 15:13:00

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif PIN laser LED
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2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um
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2023-02-17 17:57:41

L'angle de bord plat 16mm a modelé la surface avant de substrats de saphir
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2022-10-09 10:43:37

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2023-02-17 14:49:57

Sapphire Crystal Wafer modelée 2inch Sapphire Substrate
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2022-10-09 10:45:33

Substrats de saphir à motifs de 50,80 mm 430um A Plane
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2022-09-27 16:47:10

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif PIN laser LED
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SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um
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L'angle de bord plat 16mm a modelé la surface avant de substrats de saphir
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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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Sapphire Crystal Wafer modelée 2inch Sapphire Substrate
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Substrats de saphir à motifs de 50,80 mm 430um A Plane
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal