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gan fabrication en ligne

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Laser arrière faisant le substrat de saphir PSS modelé TTV 5um
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2022-09-27 16:46:55

UKAS a modelé Sapphire Substrates Flat Edge Angle
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2022-10-09 10:45:47

0.8um à 1.2um a modelé Sapphire Substrate Round Edge menée
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2022-09-27 16:46:38

Rugosité de la surface arrière 0,8 um à 1,2 um Substrats en saphir à motifs Largeur 16 mm
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2022-09-27 16:46:21

50.80mm ont modelé Sapphire Substrates Thickness polie 440um
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2022-09-27 16:46:00

Substrats de saphir à motifs de 2 pouces Substrat de puce LED 50,80 mm
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2022-10-09 10:43:12

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2023-02-17 14:49:22

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2022-10-09 10:30:00

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal