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gan fabrication en ligne

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le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI > 10 le ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:05:44

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2024-07-31 15:01:27

Épaisseur 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrats GaN autonomes
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2022-10-25 15:05:18

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
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2022-10-08 17:22:16

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2024-07-31 15:01:27

5*10mm2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Monocristal Substrat Résistivité
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2022-10-25 15:15:40

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·cm
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2022-10-25 15:18:39

5*10mm2 SP-Face (11-12) Résistivité du substrat monocristallin de GaN non dopé de type N
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2023-02-17 11:06:00

4 pouces GaN On Sapphire Wafer SI-enduit de type n SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer
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2022-10-08 17:33:16

10 x 10,5 mm2 C-visage GaN Single Crystal Substrate libre de type n non dopé
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2022-10-25 15:04:40

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal