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GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
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2024-07-31 15:01:27

5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:13:01

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2022-10-25 15:18:59

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
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2022-10-25 15:17:49

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
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2022-10-25 15:13:23

5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm
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2022-10-25 15:16:01

10 substrats de GaN autonomes de 10,5 mm2 - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
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2022-10-25 15:08:55

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
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2022-10-25 15:06:26

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2022-10-25 15:04:09

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2022-10-25 15:17:24

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal