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Gaufrette sic épitaxiale
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n type sic crystal fabrication en ligne

(26)

4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
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2022-09-27 17:01:35

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2025-04-04 22:43:44

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2024-10-14 17:06:30

Type 6inch 4H du niveau P SI isolant sic semi le substrat 150mm
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2022-10-24 10:21:46

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

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4H Politype Crystal Silicon Carbide simple 4" visage de la catégorie SI de P
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Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal