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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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n type sic crystal fabrication en ligne

(26)

Sic cristal 4" du lingot JDZJ01-001-002 catégorie de D
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2025-04-04 22:43:20

4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm
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2022-09-27 17:35:24

JDZJ01-001-004 SiC Lingot Cristal 6" P grade
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2025-04-04 22:42:33

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
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2022-09-27 17:01:26

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
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2022-09-27 17:01:05

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
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2022-10-09 10:12:00

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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2024-10-29 11:49:58

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
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2024-10-29 11:49:58

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
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2022-10-24 10:22:12

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal