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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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n type sic crystal fabrication en ligne

(26)

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
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2022-10-09 10:12:00

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
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2022-10-24 10:23:04

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
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2022-10-24 10:22:12

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

Substrat SiC 350um 4H
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2022-10-09 16:57:57

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
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2024-10-29 11:49:58

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de cm
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2024-10-29 11:49:58

Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
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2022-10-24 10:22:34

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal