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n type sic crystal fabrication en ligne

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acheter 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm Type de cristal de carbure de silicium N en ligne fabricant

0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm Type de cristal de carbure de silicium N
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0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Lire la suite
2022-09-27 17:01:16
acheter gaufrette sic épitaxiale 6inch en ligne fabricant

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Lire la suite
2022-10-09 16:56:20
acheter 47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres en ligne fabricant

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Lire la suite
2024-10-29 11:49:58
acheter Sic cristal 4&quot; du lingot JDZJ01-001-002 catégorie de D en ligne fabricant

Sic cristal 4" du lingot JDZJ01-001-002 catégorie de D
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SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Lire la suite
2025-04-04 22:43:20
acheter 4&quot; résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm en ligne fabricant

4" résistivité en cristal de carbure de silicium de catégorie de P 0.015ohm.cm à 0.028ohm.cm
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4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Lire la suite
2022-09-27 17:35:24
acheter Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm en ligne fabricant

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
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4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Lire la suite
2025-04-04 22:43:25
acheter cristal 4&quot; de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P en ligne fabricant

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
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100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Lire la suite
2022-09-27 17:01:26
acheter JDZJ01-001-004 SiC Lingot Cristal 6&quot; P grade en ligne fabricant

JDZJ01-001-004 SiC Lingot Cristal 6" P grade
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SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Lire la suite
2025-04-04 22:42:33
acheter Cristal plat primaire 4&quot; de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P en ligne fabricant

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
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Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Lire la suite
2022-09-27 17:01:05
acheter cristal 4&quot; de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P en ligne fabricant

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
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100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Lire la suite
2022-10-09 10:12:00
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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