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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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polished sapphire wafers fabrication en ligne

(49)

50.80mm ont modelé Sapphire Substrates Thickness polie 440um
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2022-09-27 16:46:00

4 pouces GaN On Sapphire Wafer SI-enduit de type n SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer
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2025-04-04 22:42:55

GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
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2025-04-04 22:43:49

Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm
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2023-02-17 10:17:43

1um au côté simple ou double de substrat de la nitrure 5um en aluminium a poli
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2022-09-27 15:36:51

Gaufrette semi isolante de nitrure d'aluminium AIN sur la surface de gaufrette de saphir
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2022-09-27 15:39:57

625um 675um 4 au saphir plat bleu de pouce LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2024-10-29 11:49:57

100mm 4 avancent l'épaisseur petit à petit bleue 5um - 6um de LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP
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2022-10-08 17:07:51

1 pouce de plaquette monocristalline AlN 400±50μM de qualité S/P/R
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2024-12-06 17:50:21

Plaquette de nitrure d'aluminium de 2 pouces simple ou double face polie
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2022-09-27 15:44:55

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

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4 pouces GaN On Sapphire Wafer SI-enduit de type n SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, laser, PIN Epitaxial Wafer
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GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
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Plaquette de substrat saphir Al2O3 50 mm de haute pureté Thk 430 μm
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1um au côté simple ou double de substrat de la nitrure 5um en aluminium a poli
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal