Aperçu Produitspolished sapphire wafers fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

polished sapphire wafers fabrication en ligne

(49)

Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli
Contact

2022-09-27 16:31:18

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
Contact

2022-09-27 16:24:09

C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Contact

2025-04-04 22:43:50

JDCD08-001-002 Wafer de substrat en saphir à 2 pouces A-plan
Contact

2025-04-27 11:43:50

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
Contact

2024-12-06 17:48:43

R-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch
Contact

2025-04-04 22:42:27

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R
Contact

2024-12-06 17:49:47

L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
Contact

2024-10-29 11:49:57

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
Contact

2025-04-04 22:43:44

Page 5 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

polished sapphire wafers fabrication en ligne

Le type prêt miroir d'EPI Sapphire Substrate Wafer Edge R a poli
Contact

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
Contact

C-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-006 6inch
Contact

JDCD08-001-002 Wafer de substrat en saphir à 2 pouces A-plan
Contact

GaN de type N de 2 ¢ 6 pouces sur une gaufre épitaxiale en saphir pour un dispositif de numérotation laser LED
Contact

R-avion Sapphire Substrate Wafer de JDCD08-001-004 2inch
Contact

ALN 10*10mm2 AlN monocristallin 400±50μM Grade S/P/R
Contact

L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
Contact

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal