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sic epitaxial wafer c face fabrication en ligne

(33)

Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
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2022-10-24 10:26:17

niveau P de substrat de carbure de silicium de 260μm pour des dispositifs de puissance et des dispositifs à micro-ondes
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2024-10-29 11:49:58

4 pouces 4H-SiC Substrate P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Résistance≥1E9Ω·Cm Pour les micro-ondes de puissance
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2025-04-27 11:43:50

150mm 4H Plaquette SiC Semi Isolant Substrat 6 pouces 350μm
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2022-10-24 10:22:12

Aucun Substrat SiC plat secondaire 150,0 mm 47,5 mm
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2022-10-24 10:24:09

4 pouces 4H-SiC Substrate de niveau P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Résistivité≥1E5Ω·cm Pour les micro-ondes de puissance
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2025-04-27 11:43:50

Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
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2025-04-04 22:43:25

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
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2022-10-24 10:25:55

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2025-04-04 22:43:44

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GaN Epitaxial Wafer

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Substrat 4H-SiC 4 pouces Niveau P Type N 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Résistivité 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

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Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal