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Détails sur le produit:
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| Nom de produit: | Plaquette GaAs-Si | Méthode de croissance: | VGF |
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| Type de conduite: | S-C-N | Orientation: | (100)15°±0.5° Désactivé Vers<111>UN |
| Angle d'orientation: | 180° | DE Orientation: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DE Longueur (mm): | 17±1 | SI Longueur(mm): | 7±1 |
Substrats 2 pouces GaAs(111) dopés Zn
Aperçu
Les cristaux de GaAs peuvent être créés par trois méthodes différentes.L'une des méthodes les plus courantes est le processus de congélation par gradient vertical, qui consiste à faire pousser des cristaux et à les trancher, suivi d'arrondir les bords et de les polir en tranches.Une autre méthode est la technique Bridgman-Stockbarger.
| Plaquette GaAs-Zn | |
| Méthode de croissance | VGF |
| Type de conduite | RCS |
| Dopant | GaAs-Zn |
| Orientation | (100)15°±0.5° Off Vers<111>A |
| Angle d'orientation | 180° |
| DE Orientation | EJ[0-1-1]±0.5° |
| DE Longueur (mm) | 17±1 |
| SI Orientation | EJ[0-11]±0.5° |
| SI Longueur(mm) | 7±1 |
| Diamètre(mm) | 50,8±0,2 |
| CC(/cc) | 0.2E19~4.0E19 |
| Résistivité(ohm.cm) | N / A |
| Mobilité(cm2/contre) | ≥1000 |
| DEP(/cm2) | ≤5000 |
| Épaisseur (um) | 350±25 |
| TTV (euh) | <10 |
| TTR(um) | <10 |
| Arc (euh) | <15 |
| Déformer (euh) | <15 |
| Surface | Side1 :Poli Side2 :Gravé |
| Epi-Ready | Oui |
| Emballage | Cassette |
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
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