Aperçu Produits0 8mm single crystal substrate fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

0 8mm single crystal substrate fabrication en ligne

(20)

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple
Contact

2022-09-27 16:57:06

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur
Contact

2022-10-09 10:30:43

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
Contact

2022-09-27 16:57:32

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
Contact

2024-10-14 17:06:30

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
Contact

2024-11-18 19:17:19

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
Contact

2022-10-08 17:22:16

1um au côté simple ou double de substrat de la nitrure 5um en aluminium a poli
Contact

2022-09-27 15:36:51

Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes
Contact

2024-10-29 11:49:58

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
Contact

2024-10-29 11:49:58

Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
Contact

2022-10-08 17:12:14

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

0 8mm single crystal substrate fabrication en ligne

gaufrette Ga2O3 10x15mm Crystal Substrate de 10x10mm simple
Contact

Dopage simple de Crystal Gallium Oxide Substrate UID de semi-conducteur
Contact

10x15mm2 UID a dopé le polissage simple debout libre de galette de Ga2O3
Contact

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
Contact

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
Contact

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
Contact

1um au côté simple ou double de substrat de la nitrure 5um en aluminium a poli
Contact

Substrat SiC de niveau P de 2 pouces pour les appareils électriques et les appareils à micro-ondes
Contact

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
Contact

Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal