Demande de soumission |
Aperçu Produitsp type silicon substrate fabricant en ligne
Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer

(65)

Gaufrette sic épitaxiale

(39)

GaAs Epi Wafer

(15)

Substrats de diamant CVD

(15)

Système de recuit thermique rapide

(2)

Testeur de capteur à effet Hall

(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium

(21)

Puce de diode laser

(10)

Cristal de carbure de silicium

(12)

Plaquette Ga2O3

(13)

gaufrette de silicium

(26)

Sapphire Wafer

(19)

Sapphire Substrates modelée

(10)

Support de gaufrette de téflon

(1)

Machine à découper les plaquettes

(5)
Certificat
LA CHINE Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. certifications
Je suis en ligne une discussion en ligne

p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)
acheter JDWY01-001-004 couche épaisse de 2 pouces (2,3) um AIN sur la gaufrette de saphir, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec en ligne fabricant

JDWY01-001-004 couche épaisse de 2 pouces (2,3) um AIN sur la gaufrette de saphir, DSP, XRD FWHM (de 002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
Contact

2 inch thick film (2,3)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV disinfection, LED chip Aluminum Nitride is also an excellent electrical insulator. It can be used in solar cells... Lire la suite
2025-04-04 22:43:14
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
À propos

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

LAISSEZ UN MESSAGE

Politique de confidentialité | LA CHINE Bon Qualité GaN Epitaxial Wafer Fournisseur. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.