Aperçu Produitsp type silicon substrate fabricant en ligne

Tous les produits

GaN Epitaxial Wafer
(65)

Gaufrette sic épitaxiale
(39)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
(2)

Testeur de capteur à effet Hall
(3)

Gaufrette de nitrure en aluminium
(21)

Puce de diode laser
(10)

Cristal de carbure de silicium
(12)

Plaquette Ga2O3
(13)

gaufrette de silicium
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modelée
(10)

Support de gaufrette de téflon
(1)

Machine à découper les plaquettes
(5)

Certificat

Je suis en ligne une discussion en ligne

p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
Contact

2022-10-09 10:12:00

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
Contact

2022-09-27 17:01:26

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
Contact

2022-09-27 17:01:05

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini
Contact

2022-09-27 16:53:50

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

2022-10-24 10:23:04

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm
Contact

2025-04-27 11:43:51

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
Contact

2025-04-04 22:43:36

Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Contact

2022-09-27 16:53:40

2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum
Contact

2022-09-27 16:52:11

Plaquette de semi-conducteur de silicium CZ 380um 525um 625um
Contact

2022-09-27 16:51:27

Page 5 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

Système de recuit thermique rapide

Testeur de capteur à effet Hall

Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

Cristal de carbure de silicium

Plaquette Ga2O3

gaufrette de silicium

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelée

Support de gaufrette de téflon

Machine à découper les plaquettes

p type silicon substrate fabrication en ligne

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie Politype 4H de P
Contact

cristal 4" de carbure de silicium de 100.0mm catégorie 18.0mm de P
Contact

Cristal plat primaire 4" de carbure de silicium de la longueur 32.5mm catégorie 100.0mm de P
Contact

Substrats discrets P/P P/E E/PAR EXEMPLE extérieur des dispositifs SI de /G fini
Contact

6 pouces 4H SiC Substrat N Type P SBD Grade 350μm
Contact

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à TTV ≤ 10μm Résistivité 0,05 Ω·cm
Contact

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
Contact

Gaufrette de silicium de la CZ de méthode de croissance 5" orientation <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
Contact

2" principal μm <10 Capabilities<5um standard de gaufrette de silicium maximum
Contact

Plaquette de semi-conducteur de silicium CZ 380um 525um 625um
Contact

GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal