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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2025-04-04 22:43:44

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30

SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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2022-10-24 10:21:10

L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N
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2022-10-08 16:00:57

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore
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2022-09-27 16:52:32

Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces
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2023-02-17 12:43:17

Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um
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2022-09-27 16:50:52

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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Plaquette Ga2O3

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2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal