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p type silicon substrate fabrication en ligne

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acheter SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um en ligne fabricant

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Lire la suite
2022-10-08 16:41:01
acheter 6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um en ligne fabricant

6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Lire la suite
2022-10-24 10:21:10
acheter 2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm en ligne fabricant

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Lire la suite
2024-10-14 17:06:30
acheter SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2 en ligne fabricant

SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2
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5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Lire la suite
2025-04-27 11:43:51
acheter L&#039;ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N en ligne fabricant

L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N
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2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Lire la suite
2022-10-08 16:00:57
acheter 0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore en ligne fabricant

0.001-100 ohm-cm Plaquette de silicium Type P Dopant au bore
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0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Lire la suite
2022-09-27 16:52:32
acheter Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces en ligne fabricant

Type de N type du Sb N comme gaufrette de silicium 6 pouces 8 pouces
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Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Lire la suite
2023-02-17 12:43:17
acheter Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um en ligne fabricant

Dispositifs discrets épaisseur de plaquette de silicium de 2 pouces 675um 725um 775um
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Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Lire la suite
2022-09-27 16:50:52
acheter Sic type substrat de N en ligne fabricant

Sic type substrat de N
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6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Lire la suite
2022-10-09 16:57:15
acheter Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates en ligne fabricant

Un visage GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Lire la suite
2023-02-17 10:57:06
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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