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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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p type silicon substrate fabrication en ligne

(81)

6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si
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2024-12-06 17:38:23

Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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2023-02-17 10:18:27

Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
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2022-10-08 17:12:14

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
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2022-10-08 17:22:16

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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2025-04-04 22:43:47

le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI
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2023-02-17 10:17:17

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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2022-10-09 16:56:20

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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2024-10-29 11:49:58

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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2024-10-29 11:49:58

Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial
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2024-12-06 17:41:10

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

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Gaufrette de nitrure en aluminium

Puce de diode laser

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gaufrette de silicium

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6 pouces GaN sur le silicium HEMT Epi Wafer Power Device Nitrure de gallium GaN sur le Si
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Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
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le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI
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gaufrette sic épitaxiale 6inch
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Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal