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p type silicon substrate fabrication en ligne

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acheter 2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium en ligne fabricant

2 pouces GaN sur le silicium bleu LD Epi Wafer GaN laser bleu sur le silicium
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Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Lire la suite
2024-12-06 17:35:32
acheter Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready en ligne fabricant

Une orientation de surface plane Plaquette de saphir polie miroir EPI Ready
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A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Lire la suite
2023-02-17 10:18:27
acheter Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um en ligne fabricant

Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
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2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Lire la suite
2022-10-08 17:12:14
acheter gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces en ligne fabricant

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
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50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Lire la suite
2022-10-08 17:22:16
acheter laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED en ligne fabricant

laser PIN Epitaxial Wafer de GaN/MG-enduit par 4-Inch Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED
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4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Lire la suite
2025-04-04 22:43:47
acheter le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d&#039;EPI en ligne fabricant

le miroir de 50mm Sapphire Wafer R9 a poli le type prêt du bord R de gaufrette d'EPI
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High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Lire la suite
2023-02-17 10:17:17
acheter gaufrette sic épitaxiale 6inch en ligne fabricant

gaufrette sic épitaxiale 6inch
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P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Lire la suite
2022-10-09 16:56:20
acheter 47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to&lt;11-20&gt;±1° parallèle de 1,5 millimètres en ligne fabricant

47,5 millimètres de ± gaufrette sic épitaxiale 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallèle de 1,5 millimètres
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47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Lire la suite
2024-10-29 11:49:58
acheter 4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm en ligne fabricant

4H gaufrette sic épitaxiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimètre +0mm/-0.2mm de cm ≤4000/cm
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4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Lire la suite
2024-10-29 11:49:58
acheter Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial en ligne fabricant

Dispositif de puissance de 2 pouces Transistor à haute mobilité électronique Wafer épitaxial
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Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Lire la suite
2024-12-06 17:41:10
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal

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