Aperçu Produitssilicon carbide crystal 4h fabricant en ligne

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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
(15)

Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Puce de diode laser
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Cristal de carbure de silicium
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Plaquette Ga2O3
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gaufrette de silicium
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Sapphire Wafer
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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Machine à découper les plaquettes
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silicon carbide crystal 4h fabrication en ligne

(28)

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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2022-10-24 10:20:57

Substrat 4H-SiC 4 pouces niveau P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 résistivité≥1E9Ω·Cm pour alimentation et micro-ondes
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2022-10-24 10:37:50

JDZJ01-001-004 SiC Lingot Cristal 6" P grade
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2022-09-29 15:53:31

Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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2023-02-17 17:47:57

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de cm
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2023-02-17 15:51:34

Substrat SiC de 2 pouces 350 μm pour l'électronique de puissance exigeante
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2023-02-17 15:34:54

Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

Niveau P 260μm de gaufrette de semi-conducteur de 2 pouces pour des dispositifs à micro-ondes de dispositifs de puissance
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2022-10-24 10:25:55

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

Substrats de diamant CVD

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150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC plaquette épitaxiale 4H forme cristalline
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Substrat 4H-SiC 4 pouces niveau P SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 résistivité≥1E9Ω·Cm pour alimentation et micro-ondes
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JDZJ01-001-004 SiC Lingot Cristal 6" P grade
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Polytype Non autorisé Plaquette épitaxiale SiC P-MOS P-SBD Grade D
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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal