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free standing gan substrates fabrication en ligne

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Position libre U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimètres 350 um
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2022-10-08 17:12:14

Appareil de puissance 5x10 mm2 Substrate GaN monocristallin de type N non dopé à résistance de 0,1 Ω·cm et BOW à moins de 10 μm
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2025-04-27 11:43:51

SP-Face 11-12 sans dopage de type N GaN à base de cristal unique résistance à 0,05 Ω·cm Densité de défaut macro 0cm−2
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2025-04-27 11:43:51

5*10mm2 SP-Face sans dopage de type N GaN à base de cristal unique 20-21 / 20-2-1 10mm2 Résistivité 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
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2024-10-29 11:49:57

2 pouces U GaN Substrates SI GaN Substrates 50.8mm
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2024-10-14 17:06:30

10*10,5 mm2 C-Face Fe-dopé type SI GaN à base de cristal unique à base de cristal libre Densité de défectuosité macro 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Résistivité 106 Ω·Cm Dispositifs RF Wafer
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2025-04-27 11:43:51

Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45

gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium de 50.8mm position libre de 2 pouces
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2022-10-08 17:22:16

Visage GaN Substrate de C
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2022-10-09 17:03:25

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

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Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal