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Gaufrette sic épitaxiale
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Sapphire Substrates modelée
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Support de gaufrette de téflon
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(54)

Substrats N GaN autoportants N Rugosité de la surface de la face 0,5 um à 1,5 um
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2022-10-08 17:14:45

Visage GaN Substrate de C
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2022-10-09 17:03:25

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
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2023-03-22 16:32:03

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

Épaisseur de galette de nitrure de gallium GaN 325um - 375um autonome
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2022-10-08 17:00:13

le C-visage 10*10.5mm2 Fe-a enduit GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI > 10 le ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:05:44

5*10mm2 Un-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:13:01

5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,1 Ω·cm
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2022-10-25 15:16:01

10 x 10,5 mm2 C-visage GaN Single Crystal Substrate libre de type n non dopé
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2022-10-25 15:04:40

5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2022-10-25 15:18:59

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal