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free standing gan substrates fabrication en ligne

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopé en position libre Ga2O3 Substrate monocristallin Qualité du produit Polissage unique
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2025-04-27 11:43:51

4 pouces de nitrure de gallium GaN en substrat GaN dopé
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2024-12-06 17:42:36

Front Surface Roughness GaN On Silicon Wafer GaN Substrate
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2022-10-08 17:19:48

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2024-10-14 17:06:30

Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
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2024-11-18 19:17:19

Épaisseur de galette de nitrure de gallium GaN 325um - 375um autonome
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2022-10-08 17:00:13

Un seul cristal Gan Epi Wafer Substrate de nitrure de gallium 4 pouces
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2024-12-06 17:44:01

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal