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Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
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2023-02-17 10:22:03

Résistivité du substrat monocristallin de GaN monocristallin de type SI dopé au Fe à face C de 2 pouces > 10⁶ Ω·cm Dispositifs RF
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2023-03-23 16:58:53

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI
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2023-03-22 16:09:10

SP Face 5 X 10mm2 Substrat de nitrure de gallium 350um
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2022-10-08 16:41:01

5 x 10 mm2 M font face à l'épaisseur 325um 375um de gaufrette épitaxiale de GaN
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2022-10-08 16:48:05

L'ONU a enduit le type GaN Single Crystal Substrate 5x10mm2 M Face de N
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2023-03-23 16:45:03

Wafer épitaxial au GaN dopé
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2022-10-09 17:04:59

Plaquette épitaxiale GaN 5x10mm2 Type SI dopé Un
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2023-02-17 17:53:35

5x10mm2 Sp face Gan plaquette épitaxiale UN type substrat monocristallin de Gan dopé si
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2023-03-23 16:42:09

Plaquette de nitrure de gallium monocristallin GaN Type SI
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2022-10-08 15:51:24

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GaN Epitaxial Wafer

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GaAs Epi Wafer

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Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal