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5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:19:21

5*10mm2 A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Monocristal Substrat Résistivité
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2022-10-25 15:15:40

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,05 Ω·cm
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2022-10-25 15:18:39

5*10mm2 SP-Face (11-12) Résistivité du substrat monocristallin de GaN non dopé de type N
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2023-02-17 11:06:00

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
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2022-10-25 15:17:49

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Dispositif RF de cm
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2022-10-25 15:13:23

résistivité libre de type n non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositif de puissance de cm/laser
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2022-10-25 15:17:24

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé <0.1 Ω·dispositif de puissance de cm
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2022-10-25 15:18:12

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,1 Ω·dispositif de puissance de cm
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2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
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2023-02-17 11:10:47

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal