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Gaufrette sic épitaxiale
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Système de recuit thermique rapide
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free standing gan substrates fabrication en ligne

(54)

µm du ≤ 10 du µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350
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2022-10-25 15:04:09

avion de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
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2022-10-25 15:06:26

Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C
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2023-03-22 16:44:02

Plaquette de semi-conducteur de nitrure de gallium monocristallin TTV 10um
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2023-02-17 17:57:41

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal