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GaN Epitaxial Wafer
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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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Support de gaufrette de téflon
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free standing gan substrates fabrication en ligne

(54)

Substrats GaN Rugosité de la surface de la face Ga < 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour l'épitaxie)
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2022-10-08 16:58:42

L'ONU simple de visage de Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C a enduit le type de N
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2022-10-08 16:00:57

12.5mm 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped
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2023-02-17 17:50:47

Substrat de monocristal de GaN
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2023-02-17 17:55:56

Pouce GaN Epi Wafer Dimensions de l'épaisseur 370um 430um 2 50mm
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2023-02-17 17:52:26

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2023-02-17 14:49:57

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2022-10-09 10:30:00

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Fe-Doped Free-Standing Ga2O3 Monocristal Substrat Product Grade Single Polishing
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2022-10-09 10:29:17

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2023-02-17 14:49:22

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
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2023-02-17 14:30:35

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal