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Gaufrette sic épitaxiale
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GaAs Epi Wafer
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Substrats de diamant CVD
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Système de recuit thermique rapide
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Testeur de capteur à effet Hall
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Gaufrette de nitrure en aluminium
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gan fabrication en ligne

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Sic type substrat de N
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2022-10-09 16:57:15

0.6mm 0.8mm Ga2O3 Crystal Substrate Single Polishing simple
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2024-10-29 11:49:58

Sapphire Substrate Wafer Thk plate 440um de la longueur (millimètre) puce de 16 LED
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2022-09-27 16:24:09

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-a enduit le polonais simple simple libre de Ga2O3 Crystal Substrate Product Grade
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopé en position libre Ga2O3 Substrate monocristallin Qualité du produit Polissage unique
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2025-04-27 11:43:51

4 pouces 4H-SiC Substrate P-Niveau SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Résistance≥1E9Ω·Cm Pour les micro-ondes de puissance
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2025-04-27 11:43:50

Épaisseur monocristalline polie latérale simple de substrat de Ga2O3 0.6mm 0.8mm
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2023-02-17 14:30:35

Haute pureté Al2O3 > 99,995 % de plaquette de saphir poli miroir EPI Ready
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2024-10-29 11:49:57

Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
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2023-02-17 10:18:05

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GaN Epitaxial Wafer

Gaufrette sic épitaxiale

GaAs Epi Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal